Archief - ATTN: Studenten steun- en klaagthread - Deel 15

Het archief is een bevroren moment uit een vorige versie van dit forum, met andere regels en andere bazen. Deze posts weerspiegelen op geen enkele manier onze huidige ideeën, waarden of wereldbeelden en zijn op sommige plaatsen gecensureerd wegens ontoelaatbaar. Veel zijn in een andere tijdsgeest gemaakt, al dan niet ironisch - zoals in het ironische subforum Off-Topic - en zouden op dit moment niet meer gepost (mogen) worden. Toch bieden we dit archief nog graag aan als informatiedatabank en naslagwerk. Lees er hier meer over of start een gesprek met anderen.

Plas jij in de lavabo?


  • Totaal aantal stemmers
    294
  • Opiniepeiling gesloten.

Underlegend

Legacy Member
Je hebt ongetwijfeld meer vrijheid op het gebied van spreektaal, dialect of gewoon chattaal, maar zulke grammaticale evidenties zijn toch wel anders hoor. Als je zo'n fout op een forum maakt zul je hem vast en zeker ook in een schoolopdracht maken. :)

aXl_

Legacy Member
NotoriousP zei:
Iemand die mij kan zeggen waarom de drain current in een mosfet stijgt indien je uw afmetingen (L, W, Dox) scaled met een factor x en uw supply voltage (Vds) scaled met x^0.5? Ik kom uit dat die constant blijft maar hier beweren ze dat die stijgt (http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Course-ECSE-6290 SDM-2/1 MOSFET-5 Scaling.pdf slide 20-23)

Het is ook al twee jaar geleden dat ik me er nog in verdiept heb, dus ik weet niet in hoeverre ik je in-depth antwoorden kan geven maar ik denk hierbij vnl aan short-channel effects.

Het downscalen van je transistors heeft uiteraard tot gevolg dat je channels korter worden. In principe blijft Ids relatief constant als je W/L verhouding hetzelfde blijft maar short-channel effecten creëeren steeds grotere lekstromen en je krijgt zaken als drain induced barrier lowering (DIBL), omdat de depletie-regio van de pn-juncties niet meer verwaarloosbaar is tov de kanaallengte.
Bij DIBL verlaagt je Vth wat ook zou leiden tot een grotere Ids.

Ik weet wel niet of dat is waar ze in jouw slides op doelen.

edit: en er is ook nog de factor voor channel length modulation (1 + lambda Vds) die eigenlijk achter je formule voor Ids hoort.

Nas

Legacy Member
flyingdutchman zei:
Het heeft niet zozeer met die richtingen te maken, er zal altijd wel vraag zijn naar archeologen, arabisten, kunstwetenschappers en zo verder.

Er is echter niet voldoende vraag om 500+ Pol&Soc-ers van werk te voorzien.

Er is an sich niets mis met die richtingen, het probleem is dat er te veel mensen zijn die die richtingen volgen en vaak met foute intenties ("gemakkelijk", "feesten").
Lol, er zijn er echt niet zoveel die het einde halen. We zijn nu met wat, 800 man ingeschreven? Dat is dan nog ruim genomen, denk ik.
Als ik de slaagcijfers bekijk, en dat is nog maar van de eerste bachelor, is er 18% door in eerste zit en 20% in tweede.

Nu ja, het boeit me eigenlijk geen dikke fuck wat mijn richting is, ik heb er bewust voor gekozen en als dat nu toevallig een vuilbakrichting is, slash care.

Exorikos

Legacy Member
Paper ingediend. Ik was er nog niet echt heel tevreden van, maar de deadline is er. Als ik die van de andere studenten bekijk, is de mijne relatief gezien beter dan ik verwacht had. Mijn volgende ga ik toch over een eenvoudiger onderwerp doen, want ik heb het mezelf niet bepaald gemakkelijk gemaakt.

NotoriousP

Legacy Member
aXl_ zei:
Het is ook al twee jaar geleden dat ik me er nog in verdiept heb, dus ik weet niet in hoeverre ik je in-depth antwoorden kan geven maar ik denk hierbij vnl aan short-channel effects.

Het downscalen van je transistors heeft uiteraard tot gevolg dat je channels korter worden. In principe blijft Ids relatief constant als je W/L verhouding hetzelfde blijft maar short-channel effecten creëeren steeds grotere lekstromen en je krijgt zaken als drain induced barrier lowering (DIBL), omdat de depletie-regio van de pn-juncties niet meer verwaarloosbaar is tov de kanaallengte.
Bij DIBL verlaagt je Vth wat ook zou leiden tot een grotere Ids.

Ik weet wel niet of dat is waar ze in jouw slides op doelen.

edit: en er is ook nog de factor voor channel length modulation (1 + lambda Vds) die eigenlijk achter je formule voor Ids hoort.

Dus ze hebben in die pdf eigenlijk gewoon short-channel effecten verwaarloosd maar zijn wel uitgegaan van de gevolgen die het met zich mee brengt. Rare manier van werken maar ochja, dat hoort bij de sector. :p

Maar het kan wel kloppen want de stijging aan Id de voorbije generaties is minimaal geweest en is waarschijnlijk geen intentioneel effect maar iets dat gewoon volgde uit het dalen van verbruik en vertraging.

Fighting Hobbit

Legacy Member
Exorikos zei:
Paper ingediend. Ik was er nog niet echt heel tevreden van, maar de deadline is er. Als ik die van de andere studenten bekijk, is de mijne relatief gezien beter dan ik verwacht had. Mijn volgende ga ik toch over een eenvoudiger onderwerp doen, want ik heb het mezelf niet bepaald gemakkelijk gemaakt.

Welk vak is dat?

Matt.

Legacy Member
Nasty Nas zei:
Lol, er zijn er echt niet zoveel die het einde halen. We zijn nu met wat, 800 man ingeschreven? Dat is dan nog ruim genomen, denk ik.
Als ik de slaagcijfers bekijk, en dat is nog maar van de eerste bachelor, is er 18% door in eerste zit en 20% in tweede.

Nu ja, het boeit me eigenlijk geen dikke fuck wat mijn richting is, ik heb er bewust voor gekozen en als dat nu toevallig een vuilbakrichting is, slash care.

In Leuven kleine 2500 studenten pol&soc over de 4 jaren heen, idem in Gent. Nog wel wat elders in Vlaanderen ook, neem 5000. Pak nu nog dat er in eerste bachelor 1500 man afvalt (overschatting), en onderweg ook nog 500 (?). Dan zit ge nog met 3000 man over 4 jaar, of 750 per jaar. Met een gemiddelde loopbaan van pak 40 jaar, lopen er in België op elk gegeven moment 30 000 pol&soc'ers rond, toch een beetje veel me dunkt (als ge weet dat er half zo veel huisartsen, eveneel ir's, ... rondlopen).

Fighting Hobbit

Legacy Member
Exorikos zei:
Lasers and laser spectroscopy van prof. Lievens. Je leert veel, maar moet alles zelf doen... :p

Hoe diep gaan jullie in op licht-materie interactie? Zit daar toevallig een onderdeel over 2D spectroscopie in?

Dr_Pill

Legacy Member
NotoriousP zei:
Iemand die mij kan zeggen waarom de drain current in een mosfet stijgt indien je uw afmetingen (L, W, Dox) scaled met een factor x en uw supply voltage (Vds) scaled met x^0.5? Ik kom uit dat die constant blijft maar hier beweren ze dat die stijgt (http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Course-ECSE-6290 SDM-2/1 MOSFET-5 Scaling.pdf slide 20-23)

Omdat je constant-voltage scaling verwart met constant-field scaling? ;)
Als uw voltage constant blijft, ook de stroom.
In constant field scaling, stijgt hij want door elektrisch veld constant te houden en de afstand te verkleinen, verkleint voltage, dus ook de stroom ;)

Hij verkleint in constant field scaling, denk ik, want die scaling factor eta, is kleiner dan 1.

Exorikos

Legacy Member
Fighting Hobbit zei:
Hoe diep gaan jullie in op licht-materie interactie? Zit daar toevallig een onderdeel over 2D spectroscopie in?

Er bestaat geen cursusmateriaal buiten slides waarin heel oppervlakkig het principe van een laser wordt uitgelegd. Het is de bedoeling dat je zelf een paper schrijft over een state-of-the-art laser systeem en daarna nog een paper bespreken met voor- en nadelen van de gebruikte techniek. Ik heb wel een paar digitale boeken over lasers (en andere vakgebieden binnen de fysica) op mijn computer staan en ik wil daar wel eens in kijken.

Ik vermoed dat niemand echt heel diep gaat ingaan op licht-materie interactie. Ik heb dat zelf alleszins niet gedaan, maar gewoon de resultaten van theorie gebruikt om de voorwaarden voor de laser uit te leggen. De nadruk ligt op de werking van de laser.

NotoriousP

Legacy Member
Dr_Pill zei:
Omdat je constant-voltage scaling verwart met constant-field scaling? ;)
Als uw voltage constant blijft, ook de stroom.
In constant field scaling, stijgt hij want door elektrisch veld constant te houden en de afstand te verkleinen, verkleint voltage, dus ook de stroom ;)

Hij verkleint in constant field scaling, denk ik, want die scaling factor eta, is kleiner dan 1.

Neen, hij start met constant field scaling maar dan switch hij de scalingfactor voor enkel Vds van eta naar eta^0.5. Uw Id is evenredig met Vds² en indien Vds een scalingfactor heeft van eta zal Id = eta*Id volgens de vergelijking. Dus als eta --> eta^0.5 ga je voor Vds² dus van eta² naar eta en zou in principe Ids = Ids moeten gelden.

josilirios

Legacy Member
NotoriousP zei:
Een man een vrouw noemen, net uit het middelbaar gij zeker? :ironic:

Ik wacht nog op uw bronnen.

Sorry 'k ga mij daar niet in verdiepen, want, oh victory to you, ik had geen bronnen. Het ging mij dan ook vooral over het feit dat die persoon het geld dat in zijn studies kruipen veel harder verdient dan iemand die een "deftige" richting doet en het gewoon 2 jaar na mekaar verneukt, om nadien achter de vuilniskar te gaan lopen, als je er dan toch zomaar een voorbeeld op kan plakken.

Dr_Pill

Legacy Member
NotoriousP zei:
Neen, hij start met constant field scaling maar dan switch hij de scalingfactor voor enkel Vds van eta naar eta^0.5. Uw Id is evenredig met Vds² en indien Vds een scalingfactor heeft van eta zal Id = eta*Id volgens de vergelijking. Dus als eta --> eta^0.5 ga je voor Vds² dus van eta² naar eta en zou in principe Ids = Ids moeten gelden.

(eta ^ 0.5)² = eta dus gewoon ?

NotoriousP

Legacy Member
Idd maar Ids ~ W*Vds²/(L*Dox) en als je voor elke factor daar eta bij steekt (voor Vds dus eta^0.5) bekom je toch Ids = Ids? Zo staat het toch in de pdf. :)

josilirios zei:
Mijn mening is irrelevant, ik ben een onwetende 19jarige in een vuilbakrichting die zich nog niet realiseert hoe de wereld werkt. Ik post wel graag ongefundeerde zever. :)

Fyp. Laat nu de discussies maar over aan de grote mensen. ;)

josilirios

Legacy Member
NotoriousP zei:
Idd maar Ids ~ W*Vds²/(L*Dox) en als je voor elke factor daar eta bij steekt (voor Vds dus eta^0.5) bekom je toch Ids = Ids? Zo staat het toch in de pdf. :)



Fyp. Laat nu de discussies maar over aan de grote mensen. ;)

Ik dacht dat je zelf industrieel ingenieur had gestudeerd,meneer?

NotoriousP

Legacy Member
En uw punt is? :)

Ahzo zelf een student industrieel, allé geen vuilbakrichting dan. De rest blijft gelden hoor...
Het archief is een bevroren moment uit een vorige versie van dit forum, met andere regels en andere bazen. Deze posts weerspiegelen op geen enkele manier onze huidige ideeën, waarden of wereldbeelden en zijn op sommige plaatsen gecensureerd wegens ontoelaatbaar. Veel zijn in een andere tijdsgeest gemaakt, al dan niet ironisch - zoals in het ironische subforum Off-Topic - en zouden op dit moment niet meer gepost (mogen) worden. Toch bieden we dit archief nog graag aan als informatiedatabank en naslagwerk. Lees er hier meer over of start een gesprek met anderen.
Terug
Bovenaan