Archief - Transistor: natte vinger test

Normaal is dit niet van mijn gewoonte, maar ik stel deze vraag hier omdat ik nergens het antwoord vind.

Ik beschik dus over een NPN transistor, en ik wil nu controleren, zonder datasheets, welke aansluiting de collector en welke de emittor is. In het labo hebben we een trucje geleerd, namelijk de natte vinger test, waarbij we een digitale multimeter in diodestand, aansluiten tussen collector en emittor (plus klem aan collector), en we dan een natte vinger tussen collector en basis leggen. Nu zal er een stroom vloeien door de collector-emittor.

Omgekeerd wanneer we de DMM met plus klem aansluiten aan de emittor en min klem aan de collector, en vervolgens een natte vinger tussen basis en emittor leggen, dan zal er praktisch geen stroom door de collector emittor vloeien.

Kan iemand me de theorie hierachter uitleggen?

Met vriendelijke groet,

MackeY

Niemand?

Ik ken het trucje niet. Volgens mij is de emitter hoger gedopeerd (bron van de ladingsdragers), dus als je de diodekarakteristieken opmeet tussen basis-emitter en tussen basis-collector, zal die van basis-emitter het steilst zijn.

Als gij geen geaarde component of zo hebt lijkt me dat nogal onmogelijk hoor . Neutraal gezien is dat een symmetrische component.

Symmetrische component? In een MOS zijn source en drain fysisch equivalent, maar in een bipolaire is er wel een verschil tussen emitter en collector hoor...

Tom! zei:

Symmetrische component? In een MOS zijn source en drain fysisch equivalent, maar in een bipolaire is er wel een verschil tussen emitter en collector hoor...

Klik om te vergroten...

Beschrijf dat verschil dan eens. Ik moet transistoren nog eens deftig bekijken, maar ik zie niet in hoe jij een verschil kan zien tussen de ene n-dotering en de andere.

Wat bedoel je met "zien"? Op zicht zie ik het ook niet, het gaat over de werking. Je wil elektronen van emitter naar collector en daarvoor is de emitter hoger gedopeerd (n voor npn). Zie bijvoorbeeld dit schema van wikipedia. Van die pagina ook de quote:

"These electrons wander (or "diffuse") through the base from the region of high concentration near the emitter towards the region of low concentration near the collector. The electrons in the base are called minority carriers because the base is doped p-type which would make holes the majority carrier in the base."

hm, k, my bad, ik dacht dat deze niet noodzakelijk hoger gedoteerd waren.

edit: die werking wist ik, maar ik dacht als je in se de stroomzin omdraaide die transistor eigenlijk gewoon omgekeerd ging werken (gezien de kleinsignaalanalyse dat eigenlijk perfect toelaat ). Maar dat is inderdaad niet zo als de n-doteringen ongelijk zijn.

nog nooit van gehoord srr hoor.